WVM55N10 - описание и поиск аналогов

 

WVM55N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WVM55N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 350 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для WVM55N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM55N10 даташит

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm55n10.pdf pdf_icon

WVM55N10

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM55N10(MTM55N10) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of powe

Другие MOSFET... WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , AON7410 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.