Справочник MOSFET. WVM6N100

 

WVM6N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM6N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM6N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM6N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  shaanxi
 wvm6n100.pdf pdf_icon

WVM6N100

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM6N100Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source co

Другие MOSFET... WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , 4N60 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL .

History: NDP608B

 

 
Back to Top

 


 
.