Справочник MOSFET. WVM8N20

 

WVM8N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM8N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 50 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM8N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM8N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm8n20.pdf pdf_icon

WVM8N20

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM8N20(IRF232)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so

 9.1. Size:23K  shaanxi
 wvm8n60.pdf pdf_icon

WVM8N20

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM8N60(MTM8N60) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

Другие MOSFET... WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , IRF530 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL , PSMN017-80BS .

History: GSM3485 | UPA2451C | FDU5N60NZTU

 

 
Back to Top

 


 
.