Справочник MOSFET. WVM9.5N100

 

WVM9.5N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM9.5N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM9.5N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM9.5N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  shaanxi
 wvm9.5n100.pdf pdf_icon

WVM9.5N100

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM9.5N100Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source

Другие MOSFET... WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , IRLZ44N , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL , PSMN017-80BS , PSMN020-150W , PSMN020-30MLC .

History: IRLML6246TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.