Справочник MOSFET. PSMN9R0-25MLC

 

PSMN9R0-25MLC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PSMN9R0-25MLC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.95 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 11.7 nC

Время нарастания (tr): 10.1 ns

Выходная емкость (Cd): 206 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00865 Ohm

Тип корпуса: LFPAK33

Аналог (замена) для PSMN9R0-25MLC

УЗНАТЬ ЦЕНУ

 

 

PSMN9R0-25MLC Datasheet (PDF)

1.1. psmn9r0-25mlc.pdf Size:365K _update_mosfet

PSMN9R0-25MLC
PSMN9R0-25MLC

PSMN9R0-25MLC N-channel 25 V 8.65 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Rev. 3 — 15 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and ben

2.1. psmn9r0-30ll.pdf Size:397K _philips2

PSMN9R0-25MLC
PSMN9R0-25MLC

PSMN9R0-30LL N-channel QFN3333 30 V 9 m? logic level MOSFET Rev. 04 7 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in QFN3333 package qualified to 150 C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and power supply equipment. 1.2 Features and benefits High efficiency due to low s

2.2. psmn9r0-30yl.pdf Size:384K _philips2

PSMN9R0-25MLC
PSMN9R0-25MLC

PSMN9R0-30YL N-channel 30 V 8 m? logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits ? Hig

Другие MOSFET... PSMN7R8-120ES , PSMN7R8-120PS , PSMN8R0-40BS , PSMN8R5-100ES , PSMN8R5-100PS , PSMN8R5-100XS , PSMN8R5-108ES , PSMN8R7-80BS , BSS138 , PSMN9R5-100BS , PSMN9R8-30MLC , PSMNR90-30BL , XP151A11B0MR-G , XP151A12A2MR-G , XP151A13A0MR-G , XP152A11E5MR-G , XP152A12C0MR-G .

 

 

Back to Top

 


PSMN9R0-25MLC
  PSMN9R0-25MLC
  PSMN9R0-25MLC
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: BUZ171 | BUZ12A | BUZ12 | BUZ11AL | BUZ111SL | BUZ111S | BUZ110S | BUZ10S2 | BUZ10L | BUZ104S | BUZ104L | BUZ104 | BUZ103SL | BUZ103S-4 | BUZ103 |
 


 

 

 

Back to Top