Справочник MOSFET. XP162A12A6PR-G

 

XP162A12A6PR-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: XP162A12A6PR-G
   Маркировка: 212*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для XP162A12A6PR-G

 

 

XP162A12A6PR-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  torex
 xp162a12a6pr-g.pdf

XP162A12A6PR-G XP162A12A6PR-G

XP162A12A6PR-G ETR1126_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP162A12A6PR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. A gate protect diode is built-in to prevent static damage. The small SOT-89 package makes high density

 7.1. Size:1138K  kexin
 xp162a11.pdf

XP162A12A6PR-G XP162A12A6PR-G

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETXP162A11SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features VDS (V) =-30V ID =-2.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 150m (VGS =-10V) RDS(ON) 280m (VGS =-4.5V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.SourceG D S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 2

 7.2. Size:310K  torex
 xp162a11c0pr-g.pdf

XP162A12A6PR-G XP162A12A6PR-G

XP162A11C0PR-G ETR1125_003Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP162A11C0PR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. A gate protect diode is built-in to prevent static damage. The small SOT-89 package makes high density

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SI6415DQ

 

 
Back to Top