XP202A0003MR-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: XP202A0003MR-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для XP202A0003MR-G
XP202A0003MR-G Datasheet (PDF)
xp202a0003mr-g.pdf
XP202A0003MR-G ETR1128-003P-channel 4V (G-S) MOSFET FEATURES APPLICATIONS Low On Resistance Switching Ultra High Speed Switching 4V Driving EU RoHS Compliant, Pb Free PRODUCT NAME ORDER UNIT PRODUCT NAME PACKAGE XP202A0003MR-G SOT-23 3,000/Reel * The -G suffix indicates that the products are Halogen and Antimony free as well as being
xp202a0003pr-g.pdf
XP202A0003PR-G ETR1129-003P-channel 4V (G-S) MOSFET FEATURES APPLICATION Low On Resistance Switching Ultra High Speed Switching 4V Driving PRODUCT NAME EU RoHS Compliant, Pb Free ORDER UNIT PRODUCT NAME PACKAGE XP202A0003PR-G SOT-89 1,000/Reel * The -G suffix indicates that the products are Halogen and Antimony free as w
xp202a0003pr.pdf
XP202A0003PRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchDS G G D SD P-Channel MOSFET
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
