YTF830 - описание и поиск аналогов

 

YTF830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YTF830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для YTF830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF830 даташит

 ..1. Size:141K  toshiba
ytf830.pdfpdf_icon

YTF830

YTF830 YTF830 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

Другие MOSFET... XP161 , XP161A11A1PR-G , XP161A1265PR-G , XP161A1355PR-G , XP162A11C0PR-G , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , SI2302 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 .

History: H12N60P | IXFH40N85X | SWD4N65DD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.