2SK1197. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK1197
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 9 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: TO126
Аналог (замена) для 2SK1197
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1197 даташит
2sk1197.pdf
2SK1197 Silicon N-Channel enhanced MOS FET Application High frequency amplifier Features High endurance capability against static electrical breakdown (C = 200pF) Between Gate from Source 500 V Typ Between Drain from Source 1000 V Min, 1500 V Typ Wide forward transfer admittance yfs = 150 mS Typ High breakdown voltage VDSS = 100V Small output capacitance
2sk1197.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1197 FEATURES Drain Current I = 0.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
2sk1192.pdf
2SK1192 External dimensions 2 ...... FM100 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25 C) (Ta = 25 C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 60 V V 60 V I = 250 A, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V 20 V I 500 nA V = 20V GSS GSS GS I 40 A I 250 A V = 60V, V = 0V D DSS DS GS I 160 (Tch 150 C) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250 A D
Другие MOSFET... XP161A1265PR-G , XP161A1355PR-G , XP162A11C0PR-G , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 18N50 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A .
History: 4N65G-TMS4-T | SWD10N65K2 | RUE002N02 | IXFP80N25X3 | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN
History: 4N65G-TMS4-T | SWD10N65K2 | RUE002N02 | IXFP80N25X3 | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet






