Справочник MOSFET. 2SK1197

 

2SK1197 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1197
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 9 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: TO126
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1197 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:18K  hitachi
2sk1197.pdfpdf_icon

2SK1197

2SK1197Silicon N-Channel enhanced MOS FETApplicationHigh frequency amplifierFeatures High endurance capability against static electrical breakdown (C = 200pF) Between Gate from Source : 500 V Typ Between Drain from Source : 1000 V Min, 1500 V Typ Wide forward transfer admittance|yfs| = 150 mS Typ High breakdown voltage VDSS = 100V Small output capacitance

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
2sk1197.pdfpdf_icon

2SK1197

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1197FEATURESDrain Current I = 0.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 8.1. Size:41K  1
2sk1192.pdfpdf_icon

2SK1197

2SK1192External dimensions 2 ...... FM100Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V 60 V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 40 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 160 (Tch 150C) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250AD

 8.2. Size:313K  nec
2sk1198.pdfpdf_icon

2SK1197

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK3391 | SI8808DB | AO4440 | SWF2N90K2 | TSP65R190S2 | AP65SL099AWL | KDS8333C

 

 
Back to Top

 


 
.