MMN600DB015B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMN600DB015B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 850 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 850 nC
trⓘ - Время нарастания: 350 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMN600DB015B
MMN600DB015B Datasheet (PDF)
mmn600db015b.pdf
MMN600DB015B150V 600A N-ch Power MOSFET ModuleApril 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m@VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverterVDS ID RDS(ON)
mmn60nf06.pdf
MMN60NF06Data SheetM-MOS Semiconductor Sdn. Bhd.60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-220 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100