Справочник MOSFET. MMN600DB015B

 

MMN600DB015B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN600DB015B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 850 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN600DB015B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  macmic
 mmn600db015b.pdf pdf_icon

MMN600DB015B

MMN600DB015B150V 600A N-ch Power MOSFET ModuleApril 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m@VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverterVDS ID RDS(ON)

 4.1. Size:433K  macmic
 mmn600db012b.pdf pdf_icon

MMN600DB015B

8879::;

 9.1. Size:146K  m-mos
 mmn60nf06.pdf pdf_icon

MMN600DB015B

MMN60NF06Data SheetM-MOS Semiconductor Sdn. Bhd.60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-220 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FM600TU-3A | WMN14N60C4 | 7N10G-AA3 | SEFM460 | MTN4N65FP | CEB08N6A | IRFR540ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.