HX2302A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HX2302A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HX2302A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX2302A даташит

 ..1. Size:181K  hx
 hx2302a.pdf pdf_icon

HX2302A

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors HX2302A MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING A2SHB MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current 2.5 A PD Power Dissipation 0.9 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL C

 8.1. Size:253K  hx
 hx2302.pdf pdf_icon

HX2302A

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX2302 MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING A2SHB MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 8 V ID Drain current 3.0 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 EL

 9.1. Size:183K  hx
 hx2305.pdf pdf_icon

HX2302A

SOT-23-3Plastic-Encapsulate Transistors HX2305MOSFET(P-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING A5SHB MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -20 V VGS Gate-Source voltage 12 V -3 A ID Drain current PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHAR

 9.2. Size:316K  hx
 hx2301.pdf pdf_icon

HX2302A

SOT-23 -3Plastic-Encapsulate Transistors HX2301 MOSFET(P-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING A1SHB MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -20 V VGS Gate-Source voltage 12 V -2.8 A ID Drain current PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMN600DB012B, MMN600DB015B, MMN668A010U1, FTP03N06NA, ITP09N50A, HX2301, HX2301A, HX2302, 2N60, HX2305, HX3400, HX3400A, HX3401, HX3401A, HX3415, HX3415A, HD2302