Справочник MOSFET. PSMN040-200W

 

PSMN040-200W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PSMN040-200W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 183 nC

Время нарастания (tr): 94 ns

Выходная емкость (Cd): 732 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для PSMN040-200W

 

 

PSMN040-200W Datasheet (PDF)

1.1. psmn040-200w.pdf Size:87K _update_mosfet

PSMN040-200W
PSMN040-200W

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PSMN040-200W FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d • Very low on-state resistance VDSS = 200 V • Fast switching • Low thermal resistance ID = 50 A g RDS(ON) ≤ 40 mΩ s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247) SiliconMAX products use the latest PIN DESCRIPTION Phil

1.2. psmn040-200w.pdf Size:87K _philips2

PSMN040-200W
PSMN040-200W

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PSMN040-200W FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 50 A g RDS(ON) ? 40 m? s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247) SiliconMAX products use the latest PIN DESCRIPTION Philips Trench technology

 2.1. psmn040-100mse.pdf Size:347K _update_mosfet

PSMN040-200W
PSMN040-200W

PSMN040-100MSE N-channel 100 V 36.6 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high power PoE applications 26 March 2013 Product data sheet 1. General description New standards and proprietary approaches are enabling Power-over-Ethernet (PoE) systems capable of delivering up to 90W to each powered device (PD). Such solutions place increased demands on the power sourci

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top