HX3400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HX3400
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HX3400
HX3400 Datasheet (PDF)
hx3400.pdf

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3400 MOSFET(N-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mout Package MARKING: XORBMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 30 V VGS Gate-Source voltage 12 VID Drain current 5.8 A PD Power Dissipation 1.4 W
hx3400a.pdf

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate TransistorsHX3400AMOSFET(N-Channel)FEATURESTrenchFET Power MOSFETLoad Switch for Portable DevicesDC/DC ConverterMARKING:A09TMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 VVGS Gate-Source voltage 8 VID Drain current 3.6 APD Power Dissipation 1 WTj Junction Temperature 150 Ts
hx3401.pdf

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3401MOSFET(P-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package MARKING: X18VMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -30 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current -4.2 A PD Power Dissipation 1.2
hx3401a.pdf

SOT-23-3Plastic-Encapsulate TransistorsHX3401A MOSFET(P-Channel)FEATURESTrenchFET Power MOSFETMARKING: A19TMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage -20 VVGS Gate-Source voltage 12 V-3 AID Drain currentPD Power Dissipation 1 WTj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHA
Другие MOSFET... MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , MMIS60R580P , HX3400A , HX3401 , HX3401A , HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 .
History: NTMFD030N06C | BUK9E8R5-40E | 2SK3869 | NCV8401ADTRKG | NP80N04PLG | NCE0104S
History: NTMFD030N06C | BUK9E8R5-40E | 2SK3869 | NCV8401ADTRKG | NP80N04PLG | NCE0104S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors