HX3401. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HX3401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HX3401
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HX3401 даташит
hx3401.pdf
SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3401MOSFET(P-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package MARKING X18V MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -30 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current -4.2 A PD Power Dissipation 1.2
hx3401a.pdf
SOT-23-3Plastic-Encapsulate Transistors HX3401A MOSFET(P-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MARKING A19T MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -20 V VGS Gate-Source voltage 12 V -3 A ID Drain current PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHA
hx3400.pdf
SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3400 MOSFET(N-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mout Package MARKING XORB MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 30 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current 5.8 A PD Power Dissipation 1.4 W
hx3400a.pdf
SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3400AMOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING A09T MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 8 V ID Drain current 3.6 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Ts
Другие MOSFET... ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , IRFZ46N , HX3401A , HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 .
History: JMSH0602AK | MEE7296-G | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | S2N7002W | HD60N75
History: JMSH0602AK | MEE7296-G | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | S2N7002W | HD60N75
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970




