HX3401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HX3401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HX3401
HX3401 Datasheet (PDF)
hx3401.pdf

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3401MOSFET(P-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package MARKING: X18VMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -30 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current -4.2 A PD Power Dissipation 1.2
hx3401a.pdf

SOT-23-3Plastic-Encapsulate TransistorsHX3401A MOSFET(P-Channel)FEATURESTrenchFET Power MOSFETMARKING: A19TMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage -20 VVGS Gate-Source voltage 12 V-3 AID Drain currentPD Power Dissipation 1 WTj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHA
hx3400.pdf

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate Transistors HX3400 MOSFET(N-Channel) FEATURES High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mout Package MARKING: XORBMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 30 V VGS Gate-Source voltage 12 VID Drain current 5.8 A PD Power Dissipation 1.4 W
hx3400a.pdf

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate TransistorsHX3400AMOSFET(N-Channel)FEATURESTrenchFET Power MOSFETLoad Switch for Portable DevicesDC/DC ConverterMARKING:A09TMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 VVGS Gate-Source voltage 8 VID Drain current 3.6 APD Power Dissipation 1 WTj Junction Temperature 150 Ts
Другие MOSFET... ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , STP65NF06 , HX3401A , HX3415 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 .
History: IXTQ26N50P | NCE60H15AD | OSG70R1KPF | CS7N70F | MP15N60EIC | FDFME2P823ZT
History: IXTQ26N50P | NCE60H15AD | OSG70R1KPF | CS7N70F | MP15N60EIC | FDFME2P823ZT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970