SVF10N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF10N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  silan
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdfpdf_icon

SVF10N60F

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 ..2. Size:690K  silan
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdfpdf_icon

SVF10N60F

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:324K  silan
svf10n60cafj.pdfpdf_icon

SVF10N60F

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.2. Size:577K  silan
svf10n60cfj.pdfpdf_icon

SVF10N60F

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.