SVF10N60F datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF10N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF10N60F 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 60.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF10N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:301K silan
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1

6.1. Size:324K silan
svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

6.2. Size:577K silan
svf10n60cfj.pdf pdf_icon