SVF10N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF10N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19.38 nC
Время нарастания (tr): 60.4 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SVF10N60F Datasheet (PDF)
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf10n60cafj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svf10n60cfj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
svf10n65f svf10n65t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf10n65cfj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand
svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF10N65CF/K/FJH 10A650V N 2SVF10N65CF/K/FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .