Справочник MOSFET. SVF12N60T

 

SVF12N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF12N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51.93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVF12N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  silan
 svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60T

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:325K  silan
 svf12n60cf.pdf pdf_icon

SVF12N60T

SVF12N60CF 12A600V N 2SVF12N60CF N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.2. Size:329K  silan
 svf12n60cfj.pdf pdf_icon

SVF12N60T

SVF12N60CFJ 12A600V N 2SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.3. Size:366K  silan
 svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60T

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVD9Z24NT , SVDZ24NT , SVF10N60T , SVF10N60F , SVF10N60S , SVF10N60K , SVF10N80F , SVF10N80K , IRF630 , SVF12N60F , SVF12N60S , SVF12N60K , SVF12N65CF , SVF12N65CK , SVF12N65CS , SVF12N65CKL , SVF12N65CFQ .

History: RSD221N06 | APM9966C | NCE8295AI | PSMN8R3-40YS | SVF4N60RD | SI2304DDS | MCH6353

 

 
Back to Top

 


 
.