SVF12N60T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF12N60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33.5 nC
Время нарастания (tr): 51.93 ns
Выходная емкость (Cd): 152 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220
SVF12N60T Datasheet (PDF)
..1. Size:459K silan
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf
SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
6.3. Size:366K silan
svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf
svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf
SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
