SVF1N60AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF1N60AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.1 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для SVF1N60AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF1N60AB даташит

 ..1. Size:522K  silan
 svf1n60am svf1n60amj svf1n60ab svf1n60ad svf1n60af svf1n60ah.pdf pdf_icon

SVF1N60AB

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 1A 600V N 2 1 2 3 SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N MOS TO-251D-3L F-CellTM VDMOS 1 1 3 2 3

 7.1. Size:606K  silan
 svf1n60m svf1n60mj svf1n60n svf1n60b svf1n60d.pdf pdf_icon

SVF1N60AB

Другие IGBT... SVF18N50T, SVF18N50PN, SVF18N50FJ, SVF18N65F, SVF18N65T, SVF18N65PN, SVF1N60AM, SVF1N60AMJ, AO3401, SVF1N60AD, SVF1N60AF, SVF1N60AH, SVF1N60M, SVF1N60MJ, SVF1N60N, SVF1N60B, SVF1N60D