SVF1N60AB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF1N60AB
   Маркировка: 1N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.37 nC
   Время нарастания (tr): 11.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 23.4 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.1 Ohm
   Тип корпуса: TO92

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .