SVF1N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVF1N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам