SVF2N60RMJ - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SVF2N60RMJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N60RMJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 22.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO251J

Аналог (замена) для SVF2N60RMJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:614K silan
svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3

..2. Size:401K silan
svf2n60rdtr svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

7.2. Size:362K silan
svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon