Справочник MOSFET. SVF2N65MJ

 

SVF2N65MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N65MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251J
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N65MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  silan
 svf2n65f svf2n65n svf2n65mj svf2n65d.pdf pdf_icon

SVF2N65MJ

SVF2N65F/N/MJ/D 2A650V N SVF2N65F/N/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS

 7.1. Size:542K  silan
 svf2n65f.pdf pdf_icon

SVF2N65MJ

SVF2N65F_Datasheet 2A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N65F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guarding ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N65MJ

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 8.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N65MJ

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FMC11N60E | SIHG47N60S | MCG30N03-TP | 9N95 | CM60N03C | CJPF04N80 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.