SVF2N70NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N70NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22.27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO126F

Аналог (замена) для SVF2N70NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N70NF даташит

 ..1. Size:589K  silan
svf2n70m svf2n70mj svf2n70f svf2n70d svf2n70nf svf2n70mn.pdfpdf_icon

SVF2N70NF

SVF2N70M/MJ/F/D/NF/MN 10A 650V N 2 SVF2N70M/MJ/ F/D/NF/MN N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251-3L 1 1 3 2

 9.1. Size:692K  silan
svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdfpdf_icon

SVF2N70NF

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

 9.2. Size:362K  silan
svf2n60nf svf2n60f.pdfpdf_icon

SVF2N70NF

 9.3. Size:614K  silan
svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdfpdf_icon

SVF2N70NF

SVF2N60RD/M/MJ 2A 600V N 2 SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 3

Другие IGBT... SVF2N60RMJ, SVF2N65N, SVF2N65MJ, SVF2N65D, SVF2N70M, SVF2N70MJ, SVF2N70F, SVF2N70D, AO3407, TSM1N45CW, TSM1N45DCS, TSM1N50CT, TSM1N60LCH, TSM1N60LCP, TSM1N60SCT, TSM1N80CW, TSM1N80SCT