Справочник MOSFET. MTP3055E

 

MTP3055E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP3055E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3055E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  st
mtp3055e.pdfpdf_icon

MTP3055E

MTP3055EN-CHANNEL 60V - 0.1 - 12ATO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDMTP3055E 60 V

 7.1. Size:161K  motorola
mtp3055vlrev2a.pdfpdf_icon

MTP3055E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3055VL/DDesigner's Data SheetMTP3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

 7.2. Size:144K  motorola
mtp3055vl.pdfpdf_icon

MTP3055E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3055VL/DDesigner's Data SheetMTP3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

 7.3. Size:160K  motorola
mtp3055vrev2a.pdfpdf_icon

MTP3055E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3055V/DDesigner's Data SheetMTP3055VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis- 12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS

Другие MOSFET... MNT-LB32N16 , MNT-LB32N16-C4 , MNT-LB32N20 , MNT-LB32N20-C4 , MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , AON6380 , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , MTP3N50E , MTP3N60 , MTP3N60FI , MTP6N60 , NDB4050 .

History: HAT1093C | BF1212

 

 
Back to Top

 


 
.