TSM20N50CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM20N50CZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TSM20N50CZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM20N50CZ даташит

 ..1. Size:401K  taiwansemi
 tsm20n50ci tsm20n50cz.pdf pdf_icon

TSM20N50CZ

TSM20N50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 500 0.3 @ VGS =10V 18 General Description The TSM20N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, prov

Другие IGBT... TSM1N60SCT, TSM1N80CW, TSM1N80SCT, TSM1NB60CH, TSM1NB60CP, TSM1NB60CW, TSM1NB60SCT, TSM20N50CI, IRF1405, TSM210N06CZ, TSM2301ACX, TSM2301BCX, TSM2301CX, TSM2302CX, TSM2303CX, TSM2305CX, TSM2306CX