Справочник MOSFET. TSM20N50CZ

 

TSM20N50CZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM20N50CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TSM20N50CZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM20N50CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  taiwansemi
 tsm20n50ci tsm20n50cz.pdf pdf_icon

TSM20N50CZ

TSM20N50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 0.3 @ VGS =10V 18 General Description The TSM20N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, prov

Другие MOSFET... TSM1N60SCT , TSM1N80CW , TSM1N80SCT , TSM1NB60CH , TSM1NB60CP , TSM1NB60CW , TSM1NB60SCT , TSM20N50CI , NCEP15T14 , TSM210N06CZ , TSM2301ACX , TSM2301BCX , TSM2301CX , TSM2302CX , TSM2303CX , TSM2305CX , TSM2306CX .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.