TSM2301BCX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM2301BCX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для TSM2301BCX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2301BCX даташит

 ..1. Size:119K  taiwansemi
 tsm2301bcx.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

 7.1. Size:249K  taiwansemi
 tsm2301a.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

TSM2301A Taiwan Semiconductor P-Channel Power MOSFET -20V, -2.8A, 130m KEY PERFORMANCE PARAMETERS Features PARAMETER VALUE UNIT Advance Trench Process Technology VDS -20 V High Density Cell Design for Ultra Low On- resistance VGS = -4.5V 130 RDS(on) (max) m VGS = -2.5V 190 Application Qg 7.2 nC Telecom power Consumer Electronics SOT-23

 7.2. Size:340K  taiwansemi
 tsm2301acx tsm2301cx.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

TSM2301 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Gate 130 @ VGS = -4.5V -2.8 2. Source -20 3. Drain 190 @ VGS = -2.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

 7.3. Size:118K  taiwansemi
 tsm2301.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TSM1NB60CH, TSM1NB60CP, TSM1NB60CW, TSM1NB60SCT, TSM20N50CI, TSM20N50CZ, TSM210N06CZ, TSM2301ACX, IRFZ46N, TSM2301CX, TSM2302CX, TSM2303CX, TSM2305CX, TSM2306CX, TSM2307CX, TSM2308CX, TSM2310CX