Справочник MOSFET. TSM2301BCX

 

TSM2301BCX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM2301BCX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для TSM2301BCX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2301BCX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  taiwansemi
 tsm2301bcx.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

 7.1. Size:249K  taiwansemi
 tsm2301a.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

TSM2301A Taiwan Semiconductor P-Channel Power MOSFET -20V, -2.8A, 130m KEY PERFORMANCE PARAMETERS Features PARAMETER VALUE UNIT Advance Trench Process Technology VDS -20 V High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance VGS = -4.5V 130 RDS(on) (max) m VGS = -2.5V 190 Application Qg 7.2 nC Telecom power Consumer Electronics SOT-23

 7.2. Size:340K  taiwansemi
 tsm2301acx tsm2301cx.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

TSM2301 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Gate 130 @ VGS = -4.5V -2.8 2. Source -20 3. Drain 190 @ VGS = -2.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

 7.3. Size:118K  taiwansemi
 tsm2301.pdf pdf_icon

TSM2301BCX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TSM1NB60CH , TSM1NB60CP , TSM1NB60CW , TSM1NB60SCT , TSM20N50CI , TSM20N50CZ , TSM210N06CZ , TSM2301ACX , STP65NF06 , TSM2301CX , TSM2302CX , TSM2303CX , TSM2305CX , TSM2306CX , TSM2307CX , TSM2308CX , TSM2310CX .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | PA567JA | LNH4N80

 

 
Back to Top

 


 
.