Справочник MOSFET. TSM2313CX

 

TSM2313CX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM2313CX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для TSM2313CX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2313CX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  taiwansemi
tsm2313 tsm2313cx.pdfpdf_icon

TSM2313CX

 8.1. Size:120K  taiwansemi
tsm2312.pdfpdf_icon

TSM2313CX

 8.2. Size:208K  taiwansemi
tsm2311cx.pdfpdf_icon

TSM2313CX

TSM2311 20V P-Channel MOSFET SOT-23 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Drain 55 @ VGS = -4.5V -4.0 -20 85 @ VGS = -2.5V -2.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

 8.3. Size:195K  taiwansemi
tsm2314cx.pdfpdf_icon

TSM2313CX

TSM2314 20V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Drain 33 @ VGS = 4.5V 4.9 40 @ VGS = 2.5V 4.4 20 100 @ VGS = 1.8V 2.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderin

Другие MOSFET... TSM2303CX , TSM2305CX , TSM2306CX , TSM2307CX , TSM2308CX , TSM2310CX , TSM2311CX , TSM2312CX , AO3407 , TSM2314CX , TSM2318CX , TSM2323CX , TSM2328CX , TSM23N50CN , TSM25N03CP , TSM2611EDCX6 , TSM2N60CH .

History: HM4886E | AP1R803GMT-HF | CSD85312Q3E

 

 
Back to Top

 


 
.