TSM2313CX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM2313CX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для TSM2313CX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM2313CX даташит

 ..1. Size:118K  taiwansemi
 tsm2313 tsm2313cx.pdf pdf_icon

TSM2313CX

 8.1. Size:120K  taiwansemi
 tsm2312.pdf pdf_icon

TSM2313CX

 8.2. Size:208K  taiwansemi
 tsm2311cx.pdf pdf_icon

TSM2313CX

TSM2311 20V P-Channel MOSFET SOT-23 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 55 @ VGS = -4.5V -4.0 -20 85 @ VGS = -2.5V -2.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi

 8.3. Size:195K  taiwansemi
 tsm2314cx.pdf pdf_icon

TSM2313CX

TSM2314 20V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 33 @ VGS = 4.5V 4.9 40 @ VGS = 2.5V 4.4 20 100 @ VGS = 1.8V 2.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TSM2303CX, TSM2305CX, TSM2306CX, TSM2307CX, TSM2308CX, TSM2310CX, TSM2311CX, TSM2312CX, AO4407A, TSM2314CX, TSM2318CX, TSM2323CX, TSM2328CX, TSM23N50CN, TSM25N03CP, TSM2611EDCX6, TSM2N60CH