MTP3N50E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP3N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Выходная емкость (Cd): 435 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220
MTP3N50E Datasheet (PDF)
mtp3n50e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N50E/DDesigner's Data SheetMTP3N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.500 VOLTSThis new
mtp3n50e.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MTP3N50EFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPopular AC-DC applicationsPower supplySwitching applicationsABS
mtp3n50erev1a.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N50E/DDesigner's Data SheetMTP3N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.500 VOLTSThis new
mtp3n55.pdf
PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE: MTP3N55 PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914 Website: http://www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE: TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING: Drain Source Voltage VDSS 550 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 550 Vdc Drain Current Continuous ID 3
Другие MOSFET... MTB30N06VL , MTB30P06V , MTB35N06ZL , MTP10N10M , MTP3055E , MTP3055EFI , MTP30N05E , MTP30N08M , IRFB31N20D , MTP3N60 , MTP3N60FI , MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A .
