TSM3401CX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM3401CX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90.96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для TSM3401CX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM3401CX даташит

 ..1. Size:235K  taiwansemi
tsm3401cx.pdfpdf_icon

TSM3401CX

TSM3401 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 60 @ VGS = 10V -3.0 3. Drain -30 90 @ VGS = 4.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Ordering Info

 8.1. Size:242K  taiwansemi
tsm3400cx.pdfpdf_icon

TSM3401CX

TSM3400 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Gate 2. Source 28 @ VGS = 10V 5.8 3. Drain 30 33 @ VGS = 4.5V 5.0 52 @ VGS = 2.5V 4.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Infor

 8.2. Size:338K  taiwansemi
tsm3404cx.pdfpdf_icon

TSM3401CX

TSM3404 30V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 30 @ VGS = 10V 5.8 30 43 @ VGS = 4.5V 5.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No. Pac

 9.1. Size:203K  taiwansemi
tsm3424cx6.pdfpdf_icon

TSM3401CX

TSM3424 30V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Gate 4. Source 30 @ VGS = 10V 6.7 30 42 @ VGS = 4.5V 5.7 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderin

Другие IGBT... TSM2N70CP, TSM2N70CZ, TSM2NB60CH, TSM2NB60CI, TSM2NB60CP, TSM2NB60CZ, TSM301K12CQ, TSM3400CX, AON6414A, TSM3404CX, TSM3424CX6, TSM3433CX6, TSM3441CX6, TSM3442CX6, TSM3443CX6, TSM3446CX6, TSM3454CX6