TSM3404CX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSM3404CX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100.47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSM3404CX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM3404CX даташит

 ..1. Size:338K  taiwansemi
 tsm3404cx.pdf pdf_icon

TSM3404CX

TSM3404 30V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 30 @ VGS = 10V 5.8 30 43 @ VGS = 4.5V 5.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No. Pac

 8.1. Size:242K  taiwansemi
 tsm3400cx.pdf pdf_icon

TSM3404CX

TSM3400 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Gate 2. Source 28 @ VGS = 10V 5.8 3. Drain 30 33 @ VGS = 4.5V 5.0 52 @ VGS = 2.5V 4.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Infor

 8.2. Size:235K  taiwansemi
 tsm3401cx.pdf pdf_icon

TSM3404CX

TSM3401 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 60 @ VGS = 10V -3.0 3. Drain -30 90 @ VGS = 4.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Ordering Info

 9.1. Size:203K  taiwansemi
 tsm3424cx6.pdf pdf_icon

TSM3404CX

TSM3424 30V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Gate 4. Source 30 @ VGS = 10V 6.7 30 42 @ VGS = 4.5V 5.7 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TSM2N70CZ, TSM2NB60CH, TSM2NB60CI, TSM2NB60CP, TSM2NB60CZ, TSM301K12CQ, TSM3400CX, TSM3401CX, IRFB4115, TSM3424CX6, TSM3433CX6, TSM3441CX6, TSM3442CX6, TSM3443CX6, TSM3446CX6, TSM3454CX6, TSM3455CX6