TSM3446CX6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSM3446CX6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSM3446CX6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM3446CX6 даташит

 ..1. Size:201K  taiwansemi
 tsm3446cx6.pdf pdf_icon

TSM3446CX6

TSM3446 20V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 5, Drain 3. Gate 4. Source 33 @ VGS = 4.5V 5.3 20 40 @ VGS = 2.5V 4.4 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orde

 8.1. Size:340K  taiwansemi
 tsm3441cx6.pdf pdf_icon

TSM3446CX6

TSM3441 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Drain 6. Drain 90 @ VGS = -4.5V -3.3 2. Drain 5, Drain -20 3. Gate 4. Source 110 @ VGS = -2.5V -2.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch

 8.2. Size:343K  taiwansemi
 tsm3442cx6.pdf pdf_icon

TSM3446CX6

TSM3442 20V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain 70 @ VGS = 4.5V 4 3. Gate 4. Source 20 90 @ VGS = 2.5V 3.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderi

 8.3. Size:208K  taiwansemi
 tsm3443cx6.pdf pdf_icon

TSM3446CX6

TSM3443 20V P-Channel MOSFET Pin Definition SOT-26 PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain VDS (V) RDSON (m ) ID (A) 3. Gate 4. Source 60 @ VGS = -4.5V -4.7 20 100 @ VGS = -2.5V -3.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design fPor Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TSM3400CX, TSM3401CX, TSM3404CX, TSM3424CX6, TSM3433CX6, TSM3441CX6, TSM3442CX6, TSM3443CX6, IRF630, TSM3454CX6, TSM3455CX6, TSM3457CX6, TSM3460CX6, TSM3462CX6, TSM3481CX6, TSM3548DCX6, TSM35N03CP