Справочник MOSFET. TSM35N03CP

 

TSM35N03CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM35N03CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для TSM35N03CP

 

 

TSM35N03CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  taiwansemi
 tsm35n03cp.pdf

TSM35N03CP TSM35N03CP

TSM35N03 25V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY TO-252 Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 13 @ VGS = 10V 30 25 8.5 @ VGS = 4.5V 30 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch Dc-DC Converters and Motors Drivers Order

 6.1. Size:87K  taiwansemi
 tsm35n03pq56.pdf

TSM35N03CP TSM35N03CP

TSM35N03PQ56 30V N-Channel Power MOSFET PDFN 5x6 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 7 @ VGS =10V 12 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 9 @ VGS =4.5V 10 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 8.2nC (Typ.) Low Crss typical @

 8.1. Size:89K  taiwansemi
 tsm35n10cp.pdf

TSM35N03CP TSM35N03CP

TSM35N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 37 @ VGS =10V 32 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 37m (Max.) Low gate charge typical @ 34nC (Typ.) Low Crss typical @ 45pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package

 9.1. Size:64K  taiwansemi
 tsm3548dcx6.pdf

TSM35N03CP TSM35N03CP

TSM3548D Complementary Enhancement MOSFET SOT-26 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 2 5. Source 1 3. Gate 2 4. Drain 2 41 @ VGS = 10V 3.0 N-Channel 30 45 @ VGS = 4.5V 2.2 60 @ VGS = -10V -2.2 P-Channel -30 75 @ VGS = -4.5V -1.7 Block Diagram Features Fast switching speed High performa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top