TSM35N03PQ56 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSM35N03PQ56
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PDFN56
Аналог (замена) для TSM35N03PQ56
TSM35N03PQ56 Datasheet (PDF)
tsm35n03pq56.pdf
TSM35N03PQ56 30V N-Channel Power MOSFET PDFN 5x6 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 7 @ VGS =10V 12 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 9 @ VGS =4.5V 10 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 8.2nC (Typ.) Low Crss typical @
tsm35n03cp.pdf
TSM35N03 25V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY TO-252 Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 13 @ VGS = 10V 30 25 8.5 @ VGS = 4.5V 30 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch Dc-DC Converters and Motors Drivers Order
tsm35n10cp.pdf
TSM35N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 37 @ VGS =10V 32 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 37m (Max.) Low gate charge typical @ 34nC (Typ.) Low Crss typical @ 45pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package
tsm3548dcx6.pdf
TSM3548D Complementary Enhancement MOSFET SOT-26 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 2 5. Source 1 3. Gate 2 4. Drain 2 41 @ VGS = 10V 3.0 N-Channel 30 45 @ VGS = 4.5V 2.2 60 @ VGS = -10V -2.2 P-Channel -30 75 @ VGS = -4.5V -1.7 Block Diagram Features Fast switching speed High performa
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
