Справочник MOSFET. TSM3911DCX6

 

TSM3911DCX6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM3911DCX6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145.54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для TSM3911DCX6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM3911DCX6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  taiwansemi
 tsm3911dcx6.pdf pdf_icon

TSM3911DCX6

TSM3911D 20V Dual P-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 2. Source 2 5, Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 2 4. Drain 2 140 @ VGS = -4.5V -2.2 -20 200 @ VGS = -2.5V -1.8 300 @ VGS = -1.8V -1.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

 9.1. Size:328K  taiwansemi
 tsm3900dcx6.pdf pdf_icon

TSM3911DCX6

TSM3900D 20V Dual N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 1 6. Drain 1 2. Source 2 5. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 2 4. Drain 2 55 @ VGS = 4.5V 2.0 20 70 @ VGS = 2.5V 1.5 110 @ VGS = 1.8V 1.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application

Другие MOSFET... TSM3460CX6 , TSM3462CX6 , TSM3481CX6 , TSM3548DCX6 , TSM35N03CP , TSM35N03PQ56 , TSM35N10CP , TSM3900DCX6 , 2SK3568 , TSM3N80CH , TSM3N80CI , TSM3N80CP , TSM3N80CZ , TSM3N90CH , TSM3N90CI , TSM3N90CP , TSM3N90CZ .

History: NTD95N02R | MP10N60EIF | DMN15H310SE | FMP13N60ES | 2SK1839 | IRFSZ35 | P3606BEA

 

 
Back to Top

 


 
.