TSM40N03PQ33 - описание и поиск аналогов

 

TSM40N03PQ33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM40N03PQ33

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: PDFN33

Аналог (замена) для TSM40N03PQ33

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM40N03PQ33 даташит

 ..1. Size:102K  taiwansemi
 tsm40n03pq33.pdf pdf_icon

TSM40N03PQ33

TSM40N03PQ33 30V N-Channel Power MOSFET PDFN33 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 7. Drain 4.6 @ VGS =10V 19 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 5.9 @ VGS =4.5V 16 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical

 4.1. Size:87K  taiwansemi
 tsm40n03pq56.pdf pdf_icon

TSM40N03PQ33

TSM40N03PQ56 30V N-Channel Power MOSFET PDFN56 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 7. Drain 4.5 @ VGS =10V 19 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 5.8 @ VGS =4.5V 16 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical

Другие IGBT... TSM3N80CH, TSM3N80CI, TSM3N80CP, TSM3N80CZ, TSM3N90CH, TSM3N90CI, TSM3N90CP, TSM3N90CZ, IRFB3607, TSM40N03PQ56, TSM414K34CS, TSM4392CS, TSM4404CS, TSM4410CS, TSM4410DCS, TSM4415CS, TSM4416DCS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.