Справочник MOSFET. TSM40N03PQ33

 

TSM40N03PQ33 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM40N03PQ33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: PDFN33

 Аналог (замена) для TSM40N03PQ33

 

 

TSM40N03PQ33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  taiwansemi
tsm40n03pq33.pdf

TSM40N03PQ33
TSM40N03PQ33

TSM40N03PQ33 30V N-Channel Power MOSFET PDFN33 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 4.6 @ VGS =10V 19 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 5.9 @ VGS =4.5V 16 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical

 4.1. Size:87K  taiwansemi
tsm40n03pq56.pdf

TSM40N03PQ33
TSM40N03PQ33

TSM40N03PQ56 30V N-Channel Power MOSFET PDFN56 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 4.5 @ VGS =10V 19 3. Source 6. Drain 30 4. Gate 5. Drain 5.8 @ VGS =4.5V 16 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low On-Resistance Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top