TSM414K34CS - описание и поиск аналогов

 

TSM414K34CS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM414K34CS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для TSM414K34CS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM414K34CS даташит

 ..1. Size:61K  taiwansemi
 tsm414k34cs.pdf pdf_icon

TSM414K34CS

TSM414K34 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode SOP-8 Pin Definition MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Anode 8. Cathode VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Anode 7. Cathode 3. Source 6. Drain 55 @ VGS = 10V 4 30 4. Gate 5. Drain 65 @ VGS = 4.5V 2 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VRRM (V) VF (V) IF (A) 30 0.51 3 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology

Другие IGBT... TSM3N80CP, TSM3N80CZ, TSM3N90CH, TSM3N90CI, TSM3N90CP, TSM3N90CZ, TSM40N03PQ33, TSM40N03PQ56, IRF530, TSM4392CS, TSM4404CS, TSM4410CS, TSM4410DCS, TSM4415CS, TSM4416DCS, TSM4424CS, TSM4425CS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.