Справочник MOSFET. TSM4435CS

 

TSM4435CS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM4435CS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для TSM4435CS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM4435CS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  taiwansemi
 tsm4435cs.pdf pdf_icon

TSM4435CS

TSM4435 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 21 @ VGS = -10V -9.1 4. Gate -30 35 @ VGS = -4.5V -6.9 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion Ba

 7.1. Size:202K  taiwansemi
 tsm4435bcs.pdf pdf_icon

TSM4435CS

TSM4435B 30V P-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 8. Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 7. Drain 3. Source 6. Drain 21 @ VGS = -10V -9.1 4. Gate 5. Drain -30 35 @ VGS = -4.5V -6.9 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conv

 8.1. Size:370K  taiwansemi
 tsm4433cs.pdf pdf_icon

TSM4435CS

TSM4433 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 90 @ VGS = -4.5V -3.9 4. Gate -20 110 @ VGS = -2.5V -3.2 5, 6, 7, 8. Drain 150 @ VGS = -1.8V -2.6 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application

 8.2. Size:489K  taiwansemi
 tsm4431cs.pdf pdf_icon

TSM4435CS

TSM4431 30V P-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 2. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Source 40 @ VGS = -10V -5.8 4. Gate -30 5, 6, 7, 8. Drain 70 @ VGS = -4.5V -4.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TSM4416DCS , TSM4424CS , TSM4425CS , TSM4426CS , TSM4431CS , TSM4433CS , TSM4433DCS , TSM4435BCS , 13N50 , TSM4436CS , TSM4513DCS , TSM4539DCS , TSM4835CS , TSM4872CS , TSM4886CS , TSM4925DCS , TSM4936DCS .

History: GP2M005A060XG | SI2327DS | IRHMS597Z60 | RSJ650N10 | IPD180N10N3G | 2SK1949S | FQB12P20TM

 

 
Back to Top

 


 
.