Справочник MOSFET. TSM70N10CP

 

TSM70N10CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSM70N10CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 145 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для TSM70N10CP

 

 

TSM70N10CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  taiwansemi
 tsm70n10cp.pdf

TSM70N10CP TSM70N10CP

TSM70N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 13 @ VGS =10V 70 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 13m (Max.) Low gate charge typical @ 145nC (Typ.) Low Crss typical @ 120pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packa

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top