TSM70N10CP - описание и поиск аналогов

 

TSM70N10CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM70N10CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для TSM70N10CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM70N10CP даташит

 ..1. Size:66K  taiwansemi
 tsm70n10cp.pdf pdf_icon

TSM70N10CP

TSM70N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 13 @ VGS =10V 70 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 13m (Max.) Low gate charge typical @ 145nC (Typ.) Low Crss typical @ 120pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packa

Другие MOSFET... TSM6963SDCA , TSM6968DCA , TSM6968SDCA , TSM6981DCA , TSM6988DCX6 , TSM6N50CH , TSM6N50CI , TSM6N50CP , IRF540N , TSM7401CS , TSM75N03CP , TSM75N75CZ , TSM7900DCQ , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.