TSM802CQ - описание и поиск аналогов

 

TSM802CQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSM802CQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TDFN3X3

Аналог (замена) для TSM802CQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM802CQ даташит

 ..1. Size:254K  taiwansemi
 tsm802cq.pdf pdf_icon

TSM802CQ

TSM802 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected TDFN 3x3 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Source 25 @ VGS = 4.5V 5 4. Gate 5, 6, 7, 8. Drain 20 30 @ VGS = 2.5V 4 65 @ VGS = 1.8V 2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Low Profile 0

 9.1. Size:62K  taiwansemi
 tsm80n08cz.pdf pdf_icon

TSM802CQ

TSM85N08 75V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 75 8 @ VGS =10V 80 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 8m (Max.) Low gate charge typical @ 91.5nC (Typ.) Low Crss typical @ 203pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... TSM75N75CZ , TSM7900DCQ , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , AO3400 , TSM80N08CZ , TSM85N10CZ , TSM8N50CH , TSM8N50CP , TSM8N70CI , TSM8N80CI , TSM8N80CZ , TSM9409CS .

History: MTD5P06VT4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.