Справочник MOSFET. TSM802CQ

 

TSM802CQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM802CQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TDFN3X3
 

 Аналог (замена) для TSM802CQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM802CQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  taiwansemi
 tsm802cq.pdf pdf_icon

TSM802CQ

TSM802 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected TDFN 3x3 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 25 @ VGS = 4.5V 5 4. Gate 5, 6, 7, 8. Drain 20 30 @ VGS = 2.5V 4 65 @ VGS = 1.8V 2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Low Profile 0

 9.1. Size:62K  taiwansemi
 tsm80n08cz.pdf pdf_icon

TSM802CQ

TSM85N08 75V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 75 8 @ VGS =10V 80 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 8m (Max.) Low gate charge typical @ 91.5nC (Typ.) Low Crss typical @ 203pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... TSM75N75CZ , TSM7900DCQ , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , IRF3710 , TSM80N08CZ , TSM85N10CZ , TSM8N50CH , TSM8N50CP , TSM8N70CI , TSM8N80CI , TSM8N80CZ , TSM9409CS .

History: NTMFS4825NFET1G | AD4N65S | STW48N60DM2 | NTF3055-160T3LF | DMTH3004LK3 | AOTL125A60 | AP83T03GJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.