TSM9426DCS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSM9426DCS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 800.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 183.88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSM9426DCS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM9426DCS даташит

 ..1. Size:249K  taiwansemi
 tsm9426dcs.pdf pdf_icon

TSM9426DCS

TSM9426D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 8. Drain 1 2. Gate 1 7. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Source 2 6. Drain 2 14 @ VGS = 10V 9.4 4. Gate 2 5. Drain 2 16 @ VGS = 4.5V 8 20 22 @ VGS = 2.5V 6 30 @ VGS = 1.8V 4 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Ce

 8.1. Size:379K  taiwansemi
 tsm9428dcs.pdf pdf_icon

TSM9426DCS

TSM9428D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition 1. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Gate 1 3. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 4. Gate 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch P

 8.2. Size:360K  taiwansemi
 tsm9428cs.pdf pdf_icon

TSM9426DCS

TSM9428 20V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition 1. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Source 30 @ VGS = 4.5V 6.0 4. Gate 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch O

 9.1. Size:223K  taiwansemi
 tsm9434cs.pdf pdf_icon

TSM9426DCS

TSM9434 20V P-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 8. Drain 2. Source 7. Drain VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Source 6. Drain 40 @ VGS = -4.5V -6.4 4. Gate 5. Drain -20 60 @ VGS = -2.5V -5.1 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TSM80N08CZ, TSM85N10CZ, TSM8N50CH, TSM8N50CP, TSM8N70CI, TSM8N80CI, TSM8N80CZ, TSM9409CS, 7N65, TSM9428CS, TSM9428DCS, TSM9434CS, TSM9434DCS, TSM9435CS, TSM9926DCS, TSM9933DCS, TSM9966DCX6