NDB508A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDB508A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDB508A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB508A даташит

 9.1. Size:358K  fairchild semi
 ndp5060l ndb5060l.pdf pdf_icon

NDB508A

October 1996 NDP5060L / NDB5060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These logic level N-Channel enhancement mode power 26 A, 60 V. RDS(ON) = 0.05 @ VGS= 5 V field effect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) = 0.035 @ VGS= 10 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. This Critical DC electrical p

 9.2. Size:468K  onsemi
 ndp5060l ndb5060l.pdf pdf_icon

NDB508A

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... NDB4050, NDB4050L, NDB4060, NDB4060L, NDB408A, NDB410A, NDB5060, NDB5060L, AO4468, NDB510A, NDB6020, NDB6020P, NDB6030, NDB6030L, NDB6030PL, NDB603AL, NDB6050