Справочник MOSFET. TT8J21

 

TT8J21 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TT8J21
   Маркировка: J21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TSST8

 Аналог (замена) для TT8J21

 

 

TT8J21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  rohm
 tt8j21.pdf

TT8J21 TT8J21

TT8J21 Pch -20V -2.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-20V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)68mW (5) (1) ID-2.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive.(3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sm

 9.1. Size:139K  rohm
 tt8j2.pdf

TT8J21 TT8J21

4V Drive Pch MOSFET TT8J2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol : J02 Applications Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code T

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top