TT8J21 - описание и поиск аналогов

 

TT8J21. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TT8J21

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для TT8J21

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8J21 даташит

 ..1. Size:522K  rohm
 tt8j21.pdf pdf_icon

TT8J21

TT8J21 Pch -20V -2.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -20V (7) TSST8 (6) RDS(on) (Max.) 68mW (5) (1) ID -2.5A (2) (3) PD 1.25W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Sm

 9.1. Size:139K  rohm
 tt8j2.pdf pdf_icon

TT8J21

4V Drive Pch MOSFET TT8J2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol J02 Applications Each lead has same dimensions Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code T

Другие MOSFET... TSM9N90CN , TSM9N90CZ , TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , 12N60 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 .

History: IRFI4321PBF | LNH06R079

 

 

 

 

↑ Back to Top
.