Справочник MOSFET. TT8K2

 

TT8K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TT8K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для TT8K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TT8K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  rohm
 tt8k2.pdf pdf_icon

TT8K2

TT8K2 Nch 30V 2.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS30V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)90mW (5) (1) ID2.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Packag

Другие MOSFET... TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , TT8K1 , TT8K11 , IRLZ44N , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S .

History: BSC080P03LSG | STF28NM50N | KRF7220 | CCS050M12CM2 | AM70N04-06D | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.