BUK127-50DL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUK127-50DL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для BUK127-50DL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK127-50DL даташит
buk127-50dl 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK127-50DL Logic level TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount plastic package. ID Continuous drain current 0.7 A APPLICATI
buk127-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK127-50DL Logic level TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount plastic package. ID Continuous drain current 0.7 A APPLICATI
buk127-50gt.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK127-50GT Logic level TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount plastic package. ID Continuous drain current 2.1 A APPLICATI
buk128-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK128-50DL SMD version of BUK117-50DL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 8 A plastic package. PD To
Другие MOSFET... TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 , BUK104-50S , BUK114-50L-S , BS170 , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL , BUK1M200-50SGTD , BUK452-100B , BUK455-100B .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor






