BUK452-100B - описание и поиск аналогов

 

BUK452-100B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK452-100B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUK452-100B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK452-100B даташит

 ..1. Size:61K  philips
 buk452-100b.pdf pdf_icon

BUK452-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK452-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK452 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 11 10 A (SMPS),

 4.1. Size:56K  philips
 buk452-100a-b 1.pdf pdf_icon

BUK452-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK452-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK452 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 11 10 A (SMPS),

 4.2. Size:228K  inchange semiconductor
 buk452-100.pdf pdf_icon

BUK452-100B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK452-100A/B DESCRIPTION Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Low R DS(ON) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance application ABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:54K  philips
 buk452-60a-b.pdf pdf_icon

BUK452-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK452-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK452 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 15 14 A (SMPS), motor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK114-50L-S , BUK127-50DL , BUK127-50GT , BUK128-50DL , BUK129-50DL , BUK138-50DL , BUK139-50DL , BUK1M200-50SGTD , RFP50N06 , BUK455-100B , BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , BUK553-100B , BUK553-60A .

History: WMS08DH04T1 | BSS7728NG | WM05N03M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.