Справочник MOSFET. BUK555-200B

 

BUK555-200B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK555-200B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUK555-200B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK555-200B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  philips
buk555-200b.pdfpdf_icon

BUK555-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-200A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK555 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain

 4.1. Size:55K  philips
buk555-200a-b 1.pdfpdf_icon

BUK555-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-200A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK555 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain

 7.1. Size:55K  philips
buk555-60a-b 1.pdfpdf_icon

BUK555-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-60A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK555 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain curre

 7.2. Size:69K  philips
buk555-60h 1.pdfpdf_icon

BUK555-200B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK555-60H Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor ina plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 AAutomotive applications, Switched Ptot Tota

Другие MOSFET... BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , BUK553-100B , BUK553-60A , BUK553-60B , K2611 , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C , BUK6C2R1-55C , BUK6C3R3-75C , BUK7213-40A , BUK7505-30A .

 

 
Back to Top

 


 
.