BUK555-200B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUK555-200B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для BUK555-200B
BUK555-200B Datasheet (PDF)
buk555-200b.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-200A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK555 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain
buk555-200a-b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-200A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK555 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain
buk555-60a-b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-60A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK555 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain curre
buk555-60h 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK555-60H Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor ina plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 AAutomotive applications, Switched Ptot Tota
Другие MOSFET... BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , BUK553-100B , BUK553-60A , BUK553-60B , K2611 , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C , BUK6C2R1-55C , BUK6C3R3-75C , BUK7213-40A , BUK7505-30A .
History: 2N7092 | APQ07SN65AH | IPZ65R095C7 | BUK6C2R1-55C | BUK758R3-40E | H5N3003P
History: 2N7092 | APQ07SN65AH | IPZ65R095C7 | BUK6C2R1-55C | BUK758R3-40E | H5N3003P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7 | SLP65R180E7C | SLM160N04G | SLM150N04G | SLM120N06G | SLF8N65SV | SLF80R830GT | SLF70R380E7C | SLF70R280E7C | SLF65R600E7C | SLF65R380E7C
Popular searches
2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461