BUK754R7-60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUK754R7-60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 637 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для BUK754R7-60E
BUK754R7-60E Datasheet (PDF)
buk754r7-60e.pdf

BUK754R7-60EN-channel TrenchMOS standard level FET11 September 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repe
buk754r3-75c buk7e4r3-75c.pdf

BUK754R3-75C; BUK7E4R3-75CN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 10 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package,using Philips Ultra High-Performance (UHP) automotive TrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Q101 compliant 175 C rated Standar
buk754r0-55b buk764r0-55b.pdf

BUK754R0-55B; BUK764R0-55BN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 04 4 October 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic packageusing NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Standard l
buk754r3-40b buk764r3-40b.pdf

BUK75/764R3-40BTrenchMOS standard level FETRev. 01 09 April 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.Product availability:BUK754R3-40B in SOT78 (TO-220AB)BUK764R3-40B in SOT404 (D2-PAK).1.2 Features Very low on
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AON6264C | AOL1414



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: F25N10 | F20N60 | F20N50 | F18N65 | F18N50 | F16N65 | F14N65 | F13N50 | F12N60 | DTJ018N04N | DTG050P06LA | DTG045N04NA | DTG025N04NA | DTG023N03L | DTG018N04N | DTE043N04NA
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414