BUK76150-55A - описание и поиск аналогов

 

BUK76150-55A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK76150-55A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK76150-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK76150-55A даташит

 ..1. Size:292K  philips
 buk76150-55a.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

BUK75/76150-55A TrenchMOS standard level FET Rev. 02 25 November 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips General-Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS technology. 1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Standard level compatible. 1.3 Applicat

 ..2. Size:299K  philips
 buk75150-55a buk76150-55a.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

BUK75/76150-55A TrenchMOS standard level FET Rev. 02 25 November 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips General-Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS technology. 1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Standard level compatible. 1.3 Applicat

 6.1. Size:302K  philips
 buk75150 buk76150 55a-01.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

 7.1. Size:55K  philips
 buk7615-100a 1.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7615-100A Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 100 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 75 A trench technology the d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK753R8-80E , BUK754R7-60E , BUK755R4-100E , BUK758R3-40E , BUK7605-30A , BUK7613-100E , BUK7613-60E , BUK7614-55 , IRFZ44N , BUK7615-100A , BUK7616-55A , BUK761R3-30E , BUK761R4-30E , BUK761R5-40E , BUK761R6-40E , BUK761R7-40E , BUK762R0-40E .

History: HM4630D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.