Справочник MOSFET. BUK76150-55A

 

BUK76150-55A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK76150-55A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для BUK76150-55A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK76150-55A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  philips
 buk76150-55a.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

BUK75/76150-55ATrenchMOS standard level FETRev. 02 25 November 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips General-Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Standard level compatible.1.3 Applicat

 ..2. Size:299K  philips
 buk75150-55a buk76150-55a.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

BUK75/76150-55ATrenchMOS standard level FETRev. 02 25 November 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips General-Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Standard level compatible.1.3 Applicat

 6.1. Size:302K  philips
 buk75150 buk76150 55a-01.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

BUK75150-55A;BUK76150-55ATrenchMOS standard level FETRev. 01 10 November 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK75150-55A in SOT78 (TO-220AB)BUK76150-55A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS

 7.1. Size:55K  philips
 buk7615-100a 1.pdf pdf_icon

BUK76150-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7615-100A Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 100 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 75 Atrench technology the d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK753R8-80E , BUK754R7-60E , BUK755R4-100E , BUK758R3-40E , BUK7605-30A , BUK7613-100E , BUK7613-60E , BUK7614-55 , IRFZ44N , BUK7615-100A , BUK7616-55A , BUK761R3-30E , BUK761R4-30E , BUK761R5-40E , BUK761R6-40E , BUK761R7-40E , BUK762R0-40E .

History: BUK725R0-40C | PSMN2R0-60ES

 

 
Back to Top

 


 
.