Справочник MOSFET. BUK763R9-60E

 

BUK763R9-60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK763R9-60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 103 nC
   trⓘ - Время нарастания: 41.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 737 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK763R9-60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  nxp
buk763r9-60e.pdfpdf_icon

BUK763R9-60E

BUK763R9-60EN-channel TrenchMOS standard level FET13 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repetiti

 7.1. Size:104K  philips
buk763r4-30.pdfpdf_icon

BUK763R9-60E

BUK753R4-30B; BUK763R4-30BN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 5 January 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Q101 compliant 175 C rated Standard level compa

 7.2. Size:323K  philips
buk753r1-40b buk763r1-40b.pdfpdf_icon

BUK763R9-60E

BUK75/763R1-40BTrenchMOS standard level FETRev. 02 16 October 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.Product availability:BUK753R1-40B in SOT78 (TO-220AB)BUK763R1-40B in SOT404 (D2-PAK).1.2 Features Very low on-sta

 7.3. Size:108K  philips
buk753r4-30b buk763r4-30b.pdfpdf_icon

BUK763R9-60E

BUK753R4-30B; BUK763R4-30BN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 5 January 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Q101 compliant 175 C rated Standard level compa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.