BUK764R2-80E - описание и поиск аналогов

 

BUK764R2-80E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK764R2-80E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 324 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK764R2-80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK764R2-80E даташит

 ..1. Size:212K  nxp
buk764r2-80e.pdfpdf_icon

BUK764R2-80E

BUK764R2-80E N-channel TrenchMOS standard level FET 5 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Repeti

 7.1. Size:191K  philips
buk764r0-75c.pdfpdf_icon

BUK764R2-80E

BUK764R0-75C N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 2 26 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high performance aut

 7.2. Size:101K  philips
buk754r0-55b buk764r0-55b.pdfpdf_icon

BUK764R2-80E

BUK754R0-55B; BUK764R0-55B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 4 October 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. 1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Standard l

 7.3. Size:297K  philips
buk754r3-40b buk764r3-40b.pdfpdf_icon

BUK764R2-80E

BUK75/764R3-40B TrenchMOS standard level FET Rev. 01 09 April 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. Product availability BUK754R3-40B in SOT78 (TO-220AB) BUK764R3-40B in SOT404 (D2-PAK). 1.2 Features Very low on

Другие MOSFET... BUK762R6-60E , BUK762R9-40E , BUK7631-100E , BUK763R1-60E , BUK763R4-30 , BUK763R8-80E , BUK763R9-60E , BUK764R0-40E , 10N60 , BUK764R4-60E , BUK765R0-100E , BUK765R3-40E , BUK766R0-60E , BUK768R1-100E , BUK768R1-40E , BUK768R3-60E , BUK769R6-80E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.