BUK7E8R3-40E - описание и поиск аналогов

 

BUK7E8R3-40E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7E8R3-40E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для BUK7E8R3-40E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7E8R3-40E даташит

 ..1. Size:210K  nxp
buk7e8r3-40e.pdfpdf_icon

BUK7E8R3-40E

BUK7E8R3-40E N-channel TrenchMOS standard level FET 11 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 1.2 Features and benefits AEC Q101 compliant Rep

 9.1. Size:221K  philips
buk7e2r3-40c.pdfpdf_icon

BUK7E8R3-40E

BUK7E2R3-40C N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 26 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high performance

 9.2. Size:273K  philips
buk754r3-75c buk7e4r3-75c.pdfpdf_icon

BUK7E8R3-40E

BUK754R3-75C; BUK7E4R3-75C N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 10 August 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package, using Philips Ultra High-Performance (UHP) automotive TrenchMOS technology. 1.2 Features TrenchMOS technology Q101 compliant 175 C rated Standar

 9.3. Size:202K  philips
buk7e04-40a.pdfpdf_icon

BUK7E8R3-40E

BUK7E04-40A N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 15 June 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Fe

Другие MOSFET... BUK7E1R9-40E , BUK7E2R3-40E , BUK7E2R6-60E , BUK7E3R1-40E , BUK7E3R5-60E , BUK7E4R0-80E , BUK7E4R6-60E , BUK7E5R2-100E , 4435 , BUK7K12-60E , BUK7K17-60E , BUK7K18-40E , BUK7K25-40E , BUK7K35-60E , BUK7K52-60E , BUK7K5R1-30E , BUK7K5R6-30E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.