Справочник MOSFET. BUK9506-55A

 

BUK9506-55A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK9506-55A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 154 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9506-55A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  philips
 buk9506-55a.pdf pdf_icon

BUK9506-55A

BUK9506-55A; BUK9606-55A;BUK9E06-55ATrenchMOS logic level FETRev. 03 23 July 2001 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9506-55A in SOT78 (TO-220AB); BUK9606-55A in SOT404 (D2-PAK);BUK9E06-55A in SOT226 (I2-PAK).

 6.1. Size:333K  philips
 buk9506-75b buk9606-75b.pdf pdf_icon

BUK9506-55A

BUK95/9606-75BTrenchMOS logic level FETRev. 02 30 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.Product availability:BUK9506-75B in SOT78 (TO-220AB)BUK9606-75B in SOT404 (D2-PAK).1.2 Features Very low on-state r

 6.2. Size:48K  philips
 buk9506-30 1.pdf pdf_icon

BUK9506-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-30 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 30 Vtechnology. The device features very ID Drain current (DC) 75 Alow on-state resist

 7.1. Size:66K  philips
 buk9506 buk9606-55a 2.pdf pdf_icon

BUK9506-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-55A Logic level FET BUK9606-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 75 Atrench technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCEAP40T17AD | AOSS21311C | 2SK3572-Z | STD6N10-1 | STP4N100FI | UTT60N06 | UPA2755GR

 

 
Back to Top

 


 
.