Справочник MOSFET. NDB610A

 

NDB610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDB610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NDB610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB610A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDB610A

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDB603AL , NDB6050 , NDB6050L , NDB6051 , NDB6051L , NDB6060 , NDB6060L , NDB608A , BS170 , NDB7050 , NDB7050L , NDB7051 , NDB7051L , NDB7052 , NDB7052L , NDB7060 , NDB7060L .

History: FHP740A | NCE3050K | APT30M36B2FLL | STS65R190L8AS2TR | SVS5N70MU | LNG03R031 | CS6N60A3D

 

 
Back to Top

 


 
.